一种氮化铝喷雾造粒的制备方法与流程

  1、随着电子集成和封装技术的加快速度进行发展，电子元器件和设备向小型化、微型化方向发展，对电子封装材料的散热性能要求也随之大幅度提升，若产生的热量不能及时散发到外界，内部聚集的热量将严重引起元器件温度的升高，影响其正常工作状态，最后导致元器件失效，因此对芯片基板和封装材料的散热提出了慢慢的升高的要求；

  2、氮化铝具备高的热导率，良好的电绝缘性以及低的介电损耗，是一种非常理想的基板材料及电子器件封装材料。氮化铝粉体的性能对基板材料的性能有着重要的影，随微电子技术的加快速度进行发展，微波器件及毫米波器件被大范围的应用，高性能的氮化铝成为当今研究的热点之一。

  3、在工业生产里，喷雾造粒是一种常见的固体颗粒制备方法。该技术利用液体或气体的压力将液态或固态物料破碎成微小的颗粒，然后通过干燥或冷却使这些颗粒固化，形成所需的固体颗粒产品。喷雾造粒技术具有生产效率高、颗粒大小均匀、简单易操作等优点，大范围的应用于化工、食品、医药、陶瓷、金属粉末等领域。

  4、陶瓷工艺传统上采用有机溶剂体系喷雾干燥，但仍存在诸多问题，例如喷雾造粒颗粒形貌为空心不规则球形。

  1、本发明要解决的技术问题是提供一种氮化铝喷雾造粒的制备方法，以解决背景技术提出的问题，改善喷雾造粒颗粒的形貌。

  4、将氮化铝粉料和分散剂加入到球磨机中球磨24～26小时，所述分散剂的含量为0.1％～1％，再往其中加入粘接剂、溶剂，所述粘接剂为丙烯酸树脂或者pvb，所述粘接剂的含量为1％～4％，加入粘接剂和溶剂后继续球磨15～18小时，球磨机的球磨转速设置为100～200rpm，球磨珠直径为20～50mm，所述球磨珠的个数为200～300个，球磨后形成氮化铝浆料，所述氮化铝浆料中的固含量为50％～60％；

  5、将上述的成氮化铝浆料吸入造粒塔，造粒塔参数设置为：进风温度为130～140℃，出风温度为80～90℃，雾化盘的转速为7000～8000rpm，进料泵转速为50～60rpm；

  8、优选的，所述粘接剂为丙烯酸树脂，且含量为1.5％条件下制得的样品的松装密度为0.81g/cm3。

  10、优选的，所述分散剂的含量为0.5％，所述氮化铝浆料中的固含量为55％。

  12、本申请一种氮化铝喷雾造粒的制备方法，通过喷雾造粒获得的氮化铝颗粒的球形颗粒规则，球化效果良好，流动性好。

  2.根据权利要求1所述的一种氮化铝喷雾造粒的制备方法，其特征是，所述粘接剂为丙烯酸树脂，所述粘接剂的含量为1.5％。

  3.根据权利要求2所述的一种氮化铝喷雾造粒的制备方法，其特征是，所述粘接剂为丙烯酸树脂，且含量为1.5％条件下制得的样品的松装密度为0.81g/cm3。

  4.根据权利要求1所述的一种氮化铝喷雾造粒的制备方法，其特征是，所述溶剂为乙醇。

  5.根据权利要求1所述的一种氮化铝喷雾造粒的制备方法，其特征是，所述分散剂的含量为0.5％，所述氮化铝浆料中的固含量为55％。

  本发明公开了一种氮化铝喷雾造粒的制备方法，属于陶瓷制备技术领域，包括：将氮化铝粉料和分散剂加入到球磨机中球磨24～26小时，再往其中加入粘接剂、溶剂，所述粘接剂为丙烯酸树脂或者PVB，加入粘接剂和溶剂后继续球磨15～18小时，球磨机的球磨转速设置为100～200rpm，球磨珠直径为20～50mm，球磨珠的个数为200～300个，球磨后形成氮化铝浆料；将上述的成氮化铝浆料吸入造粒塔，造粒塔参数设置为：进风温度为130～140℃，出风温度为80～90℃，雾化盘的转速为7000～8000rpm，进料泵转速为50～60rpm；在造粒塔出料口收集样品，然后对样品检测并记录检测的结果。

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